Substratgröße (bis zu) | Ø 300 mm |
Substrathalter | Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 1 bis 20 U/min, kippbar in-situ von 0° bis 170° in 0,1°-Schritten |
Ionenstrahlquelle | 450 mm zirkulare HF-Quelle (RF450-e) |
Neutralisator | HF-Plasma-Brücken-Neutralisator (N‑RF) |
Durchsatz | 12 Wafer/h (100 nm SiO2) |
Basisdruck | < 5 x 10-7 mbar |
Systemabmessungen (L x B x H) | 2,70 m x 1,50 m x 2,00 m, für Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem mit bis zu 3 Prozesskammern und Kassettenhandling, optionale OES- oder SIMS-basierte Endpunktkontrolle |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |