Reverse Engineering durch Ionenstrahlätzen

Das Reverse Engineering (RE) ist ein wesentlicher Schritt in der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (IC) auf Wafer­ebene. Es zielt darauf ab, bestehende Strukturen zu überprüfen, Fehler zu analysieren und für Forschungs­zwecke freizulegen. Der RE-Prozess umfasst vier Hauptschritte:

• Entkapselung zur Offenlegung interner Komponenten des Chips und Prüfung von Strukturen, Verbindungen sowie anderer Merkmale.
• Schichtabbau durch destruktive Schicht-für-Schicht-Analyse des Chips, um jede Metall-, Passivierungs- und aktive Schicht zu betrachten.
• Bildgebung mit REM, TEM oder SCM.
• Nachbearbeitung für die funktionale Analyse und Identifikation des Chips.

Die fortschreitende Entwicklung von Chips mit höherer Leistungs­dichte stellt hohe Anforderungen an präzisere Schicht­abtragungs­methoden. Herkömmliche Verfahren wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren (CMP) oder Plasmaätzen sind für moderne Chips oft teuer, fehleranfällig und eingeschränkt anwendbar. Ionenstrahlätzen bietet eine Lösung, da es eine präzise Bearbeitung im µm- und nm-Größenbereich sowie auf wenigen Atom­lagen verschiedenster Materialien ermöglicht. Der Prozess umfasst den aktiven Ionen­beschuss des Substrats mit Reaktiv- und Inertgas­ionen, um das Material chemisch und physikalisch von der Oberfläche zu ätzen.

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Passende Produkte: scia Mill 150 & scia Mill 200 & scia Mill 300

• Vollflächiges Ionenstrahlätzen mit hervorragender Homogenität
• Ätzen mit Inertgasen zur Vermeidung von Korrosionseffekten
• Heliumrückseitenkühlung zur Nutzung von Fotolack
• Reaktivgaskompatibilität für RIBE- und CAIBE-Prozesse
• Ionenstrahlquelle mit hoher Stabilität und einstellbarer Ionenenergie sowie Ionenstromdichte
• In-situ Messung zur genauen Endpunkterkennung mit SIMS
• Vollständige Softwareintegration und automatisierte Prozessführung via Rezeptsteuerung