Ionenstrahlätzen: präzise Bearbeitung für komplexe Strukturen

Ionenstrahlätzen (Ion Beam Etching, IBE), auch bekannt als Ionendünnung oder Ion Beam Milling (IBM), ist ein Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von Oberflächen. Dabei wird ein breiter Strahl aus positiv geladenen Ionen (typischerweise Argon) auf ein Substrat gerichtet. Die Ionen übertragen ihre kinetische Energie auf die Atome der Oberfläche, wodurch diese heraus­geschleudert werden und somit das Material abgetragen wird. Für ein gleichmäßiges und genaues Ätz­ergebnis wird das Substrat während des Prozesses rotiert und der Ionenstrahl hat einen größeren Durchmesser als das Substrat.

Vorteile des Ionenstrahlätzens:

  1. Hohe Präzision - durch die Anpassung der Ionenenergie, des Einfallswinkels und der Dauer können komplexe Strukturen mit hoher Genauigkeit erzeugt werden.
  2. Geringe Substrattemperatur, wodurch thermisch bedingte Verformungen oder Schädigungen des Materials minimiert werden.
  3. Hohe Flexibilität: Ionenstrahlätzen eignet sich für eine Vielzahl von Materialien, einschließlich Metalle, Halbleiter, Polymere und Keramiken.
  4. Oberflächenreinheit: Oxidschichten oder andere Verunreinigungen können von der Oberfläche entfernt werden.

Sonderformen des Ionenstrahlätzens sind Reaktives Ionenstrahlätzen (Reactive Ion Beam Etching, RIBE) und Chemisch-unterstütztes Ionenstrahlätzen (Chemically Assisted Ion Beam Etching, CAIBE), bei denen zusätzlich zum Inertgas auch reaktive Gase verwendet werden, um z.B. die Selektivität zu erhöhen, Winkel beim Ätzen von Gräben zu beeinflussen oder die Ätzraten zu steigern.

Prozessvideo Ionenstrahlätzen

Systeme zum Ionenstrahlätzen

 

System für Kleinserien- und F&E-Anwendungen von Substraten bis zu 150 mm

  • Ionenstrahlätzen
  • Reaktives Ionenstrahlätzen (RIBE)
  • Chemisch-unterstützes Ionenstrahlätzen (CAIBE)

 

Fertigungserprobtes System für die Massenproduktion von Wafern bis zu 200 mm

  • Ionenstrahlätzen
  • Reaktives Ionenstrahlätzen (RIBE)
  • Chemisch-unterstützes Ionenstrahlätzen (CAIBE)

 

System zum vollflächigen Ätzen von Wafern bis zu 300 mm

  • Ionenstrahlätzen
  • Reaktives Ionenstrahlätzen (RIBE)
  • Chemisch-unterstützes Ionenstrahlätzen (CAIBE)

Anwendungen

Das Ionenstrahlätzen wird in der MEMS-Industrie zum Ätzen verschiedener Metalle (Au, Ru, Ta, …) und dielektrischer Materialien sowie zur Strukturierung von Mikrochips eingesetzt. Es ermöglicht außerdem die Präzisionsbearbeitung von optischen Komponenten wie Linsen, Filtern und Spiegeln. Es kann auch zur Herstellung von 3D-optoelektronischen Mikrostrukturen und anderen photonischen Strukturen wie Wellenleitern und Gittern (z.B. Slanted Relief Gratings für AR-Anwendungen) verwendet werden.

Ein weiteres wichtiges Einsatzgebiet des Ionenstrahlätzens ist die Modifikation von Oberflächen zur Verbesserung der Haftung von Beschichtungen, die Erzeugung von strukturierten Oberflächen und die Entfernung von Verunreinigungen.

Application Note: Reverse Engineering von IC-Chip-Bauteilen

Präziser und homogener Schichtabtrag durch Ionenstrahlätzen.

Application Note: Magnetische Multilagen für Sensoren mit TMR-Effekt

Abtrag aller Materialien des TMR-Stapels mit Hilfe von Ionenstrahlätzen.

Application Note: Optische Gitter für AR und MR-Geräte

Reaktives Ionenstrahlätzen mit flachem Einfallswinkel mit bis zu 60 Grad.

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