Präzise Oberflächenkorrektur durch Ionenstrahltrimmen

Substratgröße (bis zu)

Ø 300 mm, alle Standard-Wafergrößen möglich

Substrathalter

Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, elektrostatische Klemmung ohne Randausschluss

Achsenleistung

Max. Geschwindigkeit 0,25 m/s, max. Beschleunigung 15 m/s²

Ionenstrahlquelle

37 mm zirkulare HF-Quelle (RF37-i) mit 8 ... 15 mm (FWHM) oder
80 mm zirkulare HF-Quelle (RF80-i) mit 12 ... 20 mm (FWHM)

Neutralisator

Glühfaden-Neutralisator (N‑Fil) oder HF-Plasma-Brücken-Neutralisator (N-RF)

Throughput

6 Wafer/h (50 nm Si on 300 mm wafer)

Basisdruck

< 1 x 10^-6 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

3,20 m x 2,90 m x 2,20 m, für Einzelkammer mit EFEM für 270°-Anordnung (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer mit Kassettenhandling oder Cluster-System mit zwei Prozesskammern und Kassettenhandling

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

Typische Abtragraten

SiO₂: 6 x 10^-3 mm³/s (RF37-i), 17 x 10^-3 mm³/s (RF80-i)

Schichtabweichung nach dem Trimmen

< 0,5 nm RMS (abhängig von Inputqualität)