Magnetronsputtern

Beim Magnetronsputtern werden die Targetmaterialien direkt auf einer Kathode platziert. Durch ein permanentes Magnetfeld an der Kathode entsteht ein dichtes Plasma an deren Oberfläche. Dies führt zu einem Ionenbeschuss und somit zu einem Abtrag von Targetmaterialien, die dann auf der Substratoberfläche abgeschieden werden. Verschiedene Prozessanordnungen führen dabei zu unterschiedlichen Schichteigenschaften

 

 

 

Statische Abscheidung mit Einzelmagnetron

Die Prozesskammer beinhaltet ein Magnetron mit einem drehenden magnetischen Feld. Der Targetdurchmesser ist dabei größer als der des zu beschichtenden Substrates. Diese Anordnung ermöglicht dünne Schichten mit hohem Durchsatz.

 

Konfokales Sputtern

Die Anordnung besteht aus bis zu 4 Magnetrons, deren Targetdurchmesser kleiner als der Substratdurchmesser ist. Die Magnetrons können zum Co-Sputtern von Legierungen (unterschiedliche Targetmaterialien) oder zum bipolaren Sputtern (gleiche Targetmaterialien) kombiniert werden.

 

Dynamische Abscheidung

Das rotierende Substrat wird linear oder kreisförmig über rechteckige Magnetrons bewegt um so Multilagenschichten zu erzeugen. Die individuellen Emissionsprofile der Magnetrons werden durch Vorberechnung der Bewegungsprofile kompensiert, die Schichtdicke kann durch Geschwindigkeitsvariation gesteuert werden.

Systeme zur dynamischen Abscheidung

 

Multilagenbeschichtung auf Wafern bis zu 300 mm Durchmesser

  • Magnetronsputtern
    (Dynamische Abscheidung mit 4 Magnetrons, kreisförmige Bewegung des Substrates)

 

Gleichzeitige Bearbeitung von zwei Substrate von bis zu 680 mm Durchmesser

  • Magnetronsputtern
    (Dynamische Abscheidung mit 4 Magnetrons, kreisförmige Bewegung des Substrates)

 

Modulares Kammerkonzept für Beschichtung großer Substrate bis 1500 mm Durchmesser.

  • Magnetronsputtern
    (Dynamische Abscheidung mit 4 Magnetrons je Prozessmodul, Linearbewegung)

 

Multilagenbeschichtung für optische Substrate

  • Magnetronsputtern
    (Dynamische Abscheidung mit 6 Magnetrons, Linearbewegung des Substrates)

Statische Abscheidung auf Wafern

 

Anspruchsvolle Beschichtungen auf Wafern bis 200 mm

  • Magnetronsputtern
    (Einzelmagnetron-Sputtern oder konfokales Sputtern)

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