Substratgröße (bis zu) | Ø 300 mm |
Sputter-Quellen | Bis zu 4 rechteckige Magnetrons (400 mm x 90 mm) |
Sputter-Modi | DC im cw- oder gepulsten Modus (1 kW) und/oder |
Basisdruck | < 8 x 10-8 mbar |
Systemabmessungen | 3,60 m x 2,70 m x 2,30 m (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer mit Schleuse für Kassettenhandling |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
Homogene Multilagen auf 300 mm Wafern
Die scia Multi 300 wurde speziell zur Herstellung hochwertiger Multilagenbeschichtungen auf Wafern bis zu 300 mm durch Magnetronsputtern (Kathodenzerstäubung) entwickelt. Die Anlage kann mit bis zu vier Magnetrons bestückt werden und somit hochpräzise Mehrschicht-Stapel aus vier Targetmaterialien erzeugen, ohne das Vakuum zu unterbrechen. Die Abscheidung von Metallschichten ist dabei ebenso möglich wie die von Oxid- und Nitridschichten. Die Kassettenschleuse mit automatischem Substrattransfer und die Anlagensteuerung garantieren einen vollautomatischen und rezeptgesteuerten Prozess.
- Ausgezeichnete Homogenität über 300 mm Substratfläche
- Synchrone orbitale und Spin-Rotation für homogene Multilagenstapel auf Wafern
- Bis zu 4 Magnetrons, jeder mit individueller Gasversorgung und eigner Shutter-Einheit
- Beladeschleuse mit automatischem Kassettenhandling
- Positionierung der Substrate kopfüber (face-down) für minimale Partikelbelastung

Anwendungsbeispiel: Herstellung von GMR-Sensoren durch HZDR: Die auf verschiedenen Substrat-Materialien hergestellten Proben führen zur gleichen Sensorleistung. Linkes Bild: Ansicht des Sensors unter einem Winkel mit dem Elektronenmikroskop | Rechts: Vergleich mehrerer Magnetowiderstandskurven auf verschiedenen Substrattypen
- Kreisförmige Substratbewegung über die Magnetrons, jede orbitale Rotation beendet eine Periode des Multilagenstapels
- Vorausberechnung der Rotationsprofile, um individuelle Emissionsprofile der Magnetrons zu kompensieren
Technologien
- Magnetronsputtern /Magnetron Sputtering
Auch Kathodenzerstäubung. Plasmaionenbeschuss auf ein Target, welches direkt auf der Kathode platziert wird, um dünne Schichten auf dem Substrat abzuscheiden.
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