Anspruchsvolle Waferbeschichtungen

Die scia Magna 200 wird zur präzisen Beschichtung von Wafern mit metallischen und/oder dielektrischen Schichten eingesetzt. Durch variable Sputtermodi und –anordnungen ist eine kundenspezifische Konfiguration möglich. Zudem ist das System sowohl für kleinformatige F&E-Anwendungen als auch in Clusterform für die softwaregesteuerte automatische Massenproduktion einsetzbar.

Eigenschaften und Vorteile

  • HF-Bias zur Kontrolle von Konformität und mechanischen Spannungen
  • Ausgezeichnete Homogenität durch drehbaren Substrathalter
  • Kühlung durch Helium-Rückseitenkontakt und ein elektrostatischer Chuck ermöglichen eine geringe Substrattemperatur
  • Hohe Abscheideraten beim reaktiven Sputtern mit uni- und bipolaren Impulsen
  • Veränderung von Schichteigenschaften durch Anpassung des energetischen Substratbeschusses
  • Co-Sputtern mit konfokaler Magnetron-Anordnung

Anwendungen

  • Temperaturkompensationsschichten für TC-SAW-Bauteile (SiO2)
  • Piezoelektrische Schichten mit exzellenter und definierter kristalliner Orientierung (AIN)
  • Optische hoch- und niedrigbrechende Schichten (SiO2, TiO2 HfO2, Nb2O5, Ta2O5)
  • Elektrische Isolationsschichten (Si3N4, SiO2, Al2O3)
  • Co-Sputtern von Metallen und Legierungen
     

Application Note

Prinzip

  • Magnetronsputtern in verschiedenen Konfigurationen
    • Einzelmagnetron mit rotierendem magnetischen Feld, Ø Magnetron > Ø Substrat oder
    • Bis zu 4 Magnetrons in konfokaler Anordnung, Ø Magnetron < Ø Substrat (Substratrotation notwendig) oder
    • DRM 400 vom Fraunhofer FEP mit zwei konzentrischen Targets, Ø Magnetron > Ø Substrat
       

Technologien

Magnetronsputtern / Magnetron Sputtering
Auch Kathodenzerstäubung. Plasmaionenbeschuss auf ein Target, welches direkt auf der Kathode platziert wird, um dünne Schichten auf dem Substrat abzuscheiden.

Detailinformationen

Technische Daten
Prozessergebnisse

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