Substratgröße (bis zu) | Ø 200 mm |
Substrathalter | Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 5 bis 20 U/min, kippbar in-situ von 0° bis 160° in 0.1°-Schritten |
Ionenstrahlquellen | Sputterquelle: 120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e) |
Neutralisator | Plasma-Brücken-Neutralisator; Filament-getrieben N-DC oder HF-getrieben N-RF |
Targethalter | Targettrommel mit neigbaren und wassergekühlten Targets, bis zu 5 (jedes max. Ø 220 mm) oder bis zu 4 (jedes max. Ø 300 mm) |
Basisdruck | < 5 x 10-7 mbar |
Systemabmessungen (L x B x H) | 3,10 m x 1,70 m x 2,40 m, als Einzelkammer mit Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem mit Kassettenhandling |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
Multilagenbeschichtung mit hoher Qualität
Die scia Coat 200 hat eine ausgezeichnete Homogenität für Beschichtungen auf Substraten mit bis zu 200 mm Durchmesser. Im Gegensatz zu anderen Abscheidungsprozessen ermöglicht das Ionenstrahlsputtern (Ion Beam Sputtering) glatte und fehlerfreie Schichten. Dabei sorgt das optische in-situ-Monitoring für eine hervorragende Prozessstabilität. Darüber hinaus können mit dem System sowohl Substrate in Wafergrößen als auch beliebig geformte Substrate bearbeitet werden.
- Hervorragende Homogenität durch Substratrotation und -kippung
- Bis zu 5 wassergekühlte Targetmaterialien auf einer drehbaren Trommel für einen in-situ Wechsel
- Rezeptgesteuerte Multilagenabscheidung mit Schwingquarz, optischem Schichtdickenmonitor (OTM) und Testglaswechsler
- Direktes Waferhandling oder Anpassung an verschiedene Substratgrößen mittels Carrier
- Ausgerüstet mit einer 350 mm sekundären Ionenstrahlquelle können auch Ionenstrahlätzprozesse durgeführt werden
- Optische Beschichtungen für hochreflektierende und Antireflexschichten,
Bandpass- und Notch-Filter - Multilagenschichten für magnetische Sensoren (GMR, TMR, Spintronics)
- Beschichtungen mit hoher Laserzerstörschwelle
- Abscheidung von dielektrischen und metallischen Schichten
- In-situ Vorbearbeitung von Substraten (ätzen, reinigen, glätten)
Application Note
- Dielektrische Beschichtung von großen Substraten
- Hochreflektierende und Antireflexbeschichtung mit Ta2O5 und SiO2
- Primäre Quelle sputtert Material von einem Target auf das vertikal oder kopfüber ausgerichtete Substrat
- Nutzung der sekundären Quelle für die Substratvorreinigung und/oder Unterstützung während der Abscheidung
Technologien
Ionenstrahlsputtern / Ion Beam Sputtering (IBS)
Durch Ionenbeschuss wird Material von einem Target gesputtert und auf dem Substrat abgeschieden.
Duales Ionenstrahlsputtern / Dual Ion Beam Sputtering (DIBS)
Eine zusätzliche Ionenstrahlquelle wird genutzt, um die aufwachsenden Schichten zu beeinflussen.
Ionenstrahlätzen / Ion Beam Etching (IBE)
Ein gebündelter Strahl aus Inertgas-Ionen wird auf ein Substrat gerichtet. Durch den Ionenbeschuss wird das Substrat strukturiert oder Material abgetragen.
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scia Coat 500
zur großflächigen Multilagenabscheidung auf bis zu 500 mm x 300 mm
