Optische Beschichtung mit hoher Präzision

Die scia Opto 300 wird zur homogenen Beschichtung von Präzisionsoptiken eingesetzt. Mit bis zu 6 verschiedenen Targets für die flexible Multilagen-Beschichtung ist auch eine Abscheidung von Gradientenschichten möglich. Zwei Beladepositionen ermöglichen eine kontinuierliche und automatische Bearbeitung der Substrate. Die optische in-situ-Überwachung mit integriertem Testglaswechsler gewährleistet höchste Genauigkeit und eine optimale Homogenität der Beschichtung.

Eigenschaften und Vorteile

Variable Substratgrößen bis zu einem Durchmesser von 300 mm.
Automatische Beladung mit zwei Beladepositionen für kontinuierliche Prozessierung.
Bis zu 6 Targetmaterialien auf einem drehbaren Halter, jedes Target bis zu 300 mm x 300 mm, mit optimierter Anordnung für gemischte Schichten oder Gradienten zwischen den Schichten
Ausgezeichnete Prozesshomogenität durch Substratrotation mit bis zu 60 U/min
In-situ optischer Schichtdickenmonitor (OTM) und Testglaswechsler
Optimierte Anordnung für spannungsarme Beschichtung

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Anwendungen

Anwendungsbeispiel scia Opto 300 — Anwendungsbeispiel: Antireflexbeschichtung eines Mehrschichtstapels aus Ta2O5 und SiO2 auf TGG, für Transparenz bei typischen Laserwellenlängen von 633 nm und 1064 nm | Bild links: Aufbau des Schichtstapels | Bild rechts: Transmissionsspektrum, gemessen mit dem Transmissionsmodus des Ellipsometers. Die Zielwerte der Reflektivitäten konnten erreicht werden.

Dielektrische Spiegel (z. B. Rugate-Filter)
Optische Beschichtungen für hochreflektierende und Antireflexschichten, Bandpass- und Notch-Filter
Beschichtungen mit hoher Laserzerstörschwelle
Abscheidung von Schichten mit Brechungsindexgradienten
In-situ-Vorbehandlung von Substraten (Ätzen, Reinigen, Glätten)
Metallische Beschichtungen, Keim- und Schutzschichten

Prinzip

Primäre Quelle sputtert Material von einem Target auf das nach unten ausgerichtete Substrat
Nutzung der sekundären Quelle für die Substratvorreinigung und/oder Unterstützung während der Abscheidung

Technologien

Ionenstrahlsputtern / Ion Beam Sputtering (IBS)
Durch Ionenbeschuss wird Material von einem Target gesputtert und auf dem Substrat abgeschieden.

Duales Ionenstrahlsputtern / Dual Ion Beam Sputtering (DIBS)
Eine zusätzliche Ionenstrahlquelle wird genutzt, um die aufwachsenden Schichten zu beeinflussen.

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)	Ø 300 mm
Substrathalter	Substratrotation bis zu 60 U/min, einschließlich optischer Schichtdickenmessung (OTM) und Testglaswechsler
Ionenstrahlquellen	Sputterquelle: 120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e) Assistenzquelle: 120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e)
Neutralisator	Plasma-Brücken-Neutralisator, HF-getrieben (N-RF)
Targethalter	Targettrommel mit 6 wassergekühlten Targets (jedes bis zu 300 mm x 300 mm)
Typische Abscheideraten	Si: 6 nm/min, SiO₂: 9 nm/min, Ta₂O₅: 6 nm/min
Homogenitätsabweichung	≤ 0,8 % (σ/mean) für 300 mm
Basisdruck	< 5 x 10^-8 mbar
Systemabmessungen (L x B x H)	4,60 m x 1,80 m x 2,20 m, als Einzelkammer mit Schleuse für zwei Substrate (ohne Schaltschrank und Pumpen)
Konfiguration	Einzelkammer mit Schleuse für zwei Substrate
Softwareschnittstellen	SECS II / GEM, OPC