Ionenstrahlsputtern von dielektrischen Schichten auf großen optischen Substraten
Die homogene Abscheidung optischer Schichten auf großen ebenen Substraten gestaltet sich durch die meist punktförmigen Verdampferquellen und die Abwesenheit eines komplexen Bewegungssystemes schwierig. Die Nutzung von Ionenstrahlsputtern (engl. Ion Beam Sputtering, IBS) ermöglicht, verglichen mit konkurrierenden Verfahren, deutlich höhere Energien der am Substrat ankommenden Teilchen. Daher ergibt dieses Abscheidungsverfahren im Allgemeinen dichtere Schichten mit Eigenschaften nahe den der entsprechenden Bulkmaterialien.
Al2O3 wurde in dieser Anwendung als Teil einer Antireflexschicht auf einem optischen Glas abgeschieden. Der Prozess wurde reaktiv vom metallischen Target durchgeführt, in dem Sauerstoff als reaktives Hintergrundgas benutzt wurde.
Die Substratabmessung betrug 500 mm x 300 mm. Die Homogenität wurde durch eine pendelnde lineare Bewegung des Substrates und ein Shapersystem sichergestellt. Die statische Abscheiderate von Al2O3 liegt bei 7 nm/min. Die abgeschiedene Schichtdicke wurde in-situ mit einem Schwingquarzsystem überwacht, welches in die Anlagensoftware integriert ist und das Endpunktsignal liefert. Die Messung der Schichtdicke erfolgte ellipsometrisch über ein Sentech-SE400-Ellipsometer. Die Vermessung der großen Substratfläche wurde auf fünf 150 mm Substraten durchgeführt. Die Reproduzierbarkeit der Schichtdicken wurde aus drei aufeinanderfolgenden Prozessdurchläufen bestimmt.
Statische Abscheideraten von verschiedenen Materialien Materialien:
Silizium (Si): 3,0 nm/min, Aluminium (Al): 5,5 nm/min, Molybdän (Mo): 3,5 nm/min, Titan (Ti): 2,8 nm/min, Aluminiumoxid (Al2O3): 7,0 nm/min
Interessiert?
Wir beraten Sie gerne!
Kontaktieren Sie uns.
Passendes Produkt - scia Coat 500
- Beschichtung von großen Substraten bis zu 500 mm x 300 mm oder 300 mm Durchmesser
- Lineare Bewegung und/oder Rotation der Substrathalterung vollständig CAM-gesteuert, zur Herstellung von Gradientenschichten
- Targettrommel für 6 wassergekühlte Targets zur automatischen Abscheidung von Multilagenschichten
- Durch Rezept wählbarer Shaper, für die zielspezifische Steuerung der Homogenität
- Homogenität bis zu 2 % auf großen Substraten und 0.5 % auf 200 mm Wafern