Magnetronsputtern von Siliziumdioxid
Siliziumdioxid ist ein wichtiges Material zur Produktion von Halbleitern und mikroelektromechanische Systeme (MEMS). Es wird dabei hauptsächlich als Isolations- und Passivierungsschicht eingesetzt oder als dielektrische Schicht verwendet.
Ein Anwendungsbeispiel ist die Abscheidung von SiO2 als Temperaturkompensationsschicht für TC-SAW-Filter in der Mobilkommunikation. Die Leistungsfähigkeit dieser Filter hängt entscheidend von der Qualität der abgeschiedenen SiO2-Schicht ab. Daher wird eine kostengünstige Lösung für die Großserienproduktion mit zuverlässigen Prozessergebnissen und hohem Wafer-Durchsatz benötigt.
Vorteile des Magnetronsputterns (auch Kathodenzerstäubung) für die Abscheidung von Siliziumdioxid SiO2
- dichte Schichten mit hoher Homogenität und guter Reinheit
- ausgezeichnete Beschichtungsgenauigkeit
- hohe Abscheidungsraten
- niedrige Substrattemperatur ermöglicht die Bearbeitung von Substratmaterialien, die sehr zerbrechlich und sensitiv gegenüber hohen Temperaturen und schnellen Temperaturänderungen sind
- Veränderung der Filmeigenschaften durch einstellbaren energetischen Substratbeschuss
Technologie
Erfahren Sie mehr über den Prozess der Kathodenzerstäubung / Magnetronsputtern und verschiedene mögliche Sputteranordnungen.
Anwendung
In unserer Application Note zeigen wir Ihnen, wie die Sputterabscheidung von SiO2 für die Temperaturkompensation von SAW-Filter-Bauelementen eingesetzt wird.
Produkt
Die scia Magna 200 ist ein Magnetron-Sputtersystem für die präzise Abscheidung von metallischen und/oder dielektrischen Schichten auf Wafern bis 200 mm.
scia Systems GmbH
Clemens-Winkler-Str. 6c
09116 Chemnitz
Tel: +49 371 33561-0
✉ sales@scia-systems.com
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