Substratgröße (bis zu) | 750 mm x 750 mm |
Substrathalter | Wassergekühlt, HF-Bias |
Substrattemperatur | Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C |
Plasmaquellen | 7 lineare Mikrowellenquellen (PL1300) und/oder |
Leistungsversorgung | MW-Leistung: max. 48 kW, HF-Leistung: max. 3 kW |
Basisdruck | < 1 x 10-6 mbar |
Systemabmessungen | 3,70 m x 2,50 m x 2,00 m (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse, optional atmosphärisches Beladesystem mit Substratlagerung |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
Großflächiges Ätzen und Beschichten über 750 mm x 750 mm
Die scia Cube 750 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.
- Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
- Unabhängiger HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
- Ausrichtung des Substrats kopfüber für minimierte Partikelbelastung
- Substratkühlung (-10 °C)
- In-situ-Kammerreinigungsprozess
- Vollautomatisierung mit Vakuumschleuse und Beladesystem verfügbar
- PECVD-Prozess
- Abscheidung von dielektrischen Schichten (z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO2, Si3N4, …))
- Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
- RIE-Prozess
- Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
- Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
- Veraschung von Fotolacken
Application Note
- Abscheidung von DLC für Glas-Pressformen
- Mikrowellenquellen erzeugen ein Plasma aus reaktiven Gasen
- Verbesserter Ionenbeschuss mit HF-Bias
Technologien
Plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung / Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Die Plasma-unterstützte CVD ist ein reaktiver Prozess, bei dem Materialien aus dem Gaszustand als dünne feste Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden.
Reaktives Ionenätzen / Reactive Ion Etching (RIE)
Reaktivgase und Ionenbeschuss werden zum chemischen und physikalischen Ätzten der Substratoberfläche genutzt.
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Product Flyer scia Cube 750
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scia Batch 350
für 3D-Beschichtungen in Chargen
