Großflächiges Ätzen und Beschichten über 750 mm x 750 mm

Die scia Cube 750 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.

Eigenschaften und Vorteile

Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
Unabhängiger HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
Ausrichtung des Substrats kopfüber für minimierte Partikelbelastung
Substratkühlung (-10 °C)
In-situ-Kammerreinigungsprozess
Vollautomatisierung mit Vakuumschleuse und Beladesystem verfügbar

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Anwendungen

REM-Aufnahme von strukturierten computergenerierten Hologrammen (CGH) auf einer Quarzprobe mit freundlicher Genehmigung des IMS Stuttgart.

PECVD-Prozess
- Abscheidung von dielektrischen Schichten (z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO₂, Si₃N₄, …))
- Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
RIE-Prozess
- Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
- Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
- Veraschung von Fotolacken

Application Note

Abscheidung von DLC für Glas-Pressformen

Prinzip

Mikrowellenquellen erzeugen ein Plasma aus reaktiven Gasen
Verbesserter Ionenbeschuss mit HF-Bias

Technologien

Plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung / Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Die Plasma-unterstützte CVD ist ein reaktiver Prozess, bei dem Materialien aus dem Gaszustand als dünne feste Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden.

Reaktives Ionenätzen / Reactive Ion Etching (RIE)
Reaktivgase und Ionenbeschuss werden zum chemischen und physikalischen Ätzten der Substratoberfläche genutzt.

Detailinformationen

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)	750 mm x 750 mm
Substrathalter	Wassergekühlt, HF-Bias
Substrattemperatur	Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C
Plasmaquellen	7 lineare Mikrowellenquellen (PL1300) und/oder HF-Parallelplattenanordnung, 13,56 MHz
Leistungsversorgung	MW-Leistung: max. 48 kW, HF-Leistung: max. 3 kW
Basisdruck	< 1 x 10^-6 mbar
Systemabmessungen (L x B x H)	3,70 m x 2,50 m x 2,00 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)
Konfiguration	Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse, optional atmosphärisches Beladesystem mit Substratlagerung
Softwareschnittstellen	SECS II / GEM, OPC