Großflächiges Ätzen und Beschichten über 300 mm x 200 mm

Die scia Cube 300 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.

Eigenschaften und Vorteile

Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
Unabhängiges HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
Substratkühlung (-10 °C) oder -heizung (850 °C)
In-situ-Kammerreinigungsprozess

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Anwendungen

REM-Aufnahme einer gewachsenen synthetisierten Schicht aus Bor-dotiertem Diamant mit freundlicher Genehmigung der STU Bratislava. Prozess mit sehr niedriger Temperatur (390 °C). Wachstumsrate für qualitativ hochwertigen BDD bis zu 70 nm/h.

PECVD-Prozess
- Abscheidung von dielektrischen Schichten, z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO₂, Si₃N₄, …)
- Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
- Wachstum von nano-kristallinen Diamanten und Kohlenstoff-Nanoröhren
RIE-Prozess
- Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
- Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
- Veraschung von Fotolacken

Application Note

Abscheidung von DLC für Glas-Pressformen

Prinzip

Mikrowellenquellen erzeugen ein Plasma aus reaktiven Gasen
Verbesserter Ionenbeschuss mit HF-Bias

Technologien

Plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung / Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Die Plasma-unterstützte CVD ist ein reaktiver Prozess, bei dem Materialien aus dem Gaszustand als dünne feste Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden.

Reaktives Ionenätzen / Reactive Ion Etching (RIE)
Reaktivgase und Ionenbeschuss werden zum chemischen und physikalischen Ätzten der Substratoberfläche genutzt.

Detailinformationen

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)	300 mm x 200 mm
Substrathalter	Wassergekühlt, HF-Bias
Substrattemperatur	Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C oder Aufheizung bis zu 850 °C
Plasmaquellen	2 lineare Mikrowellenquellen (PL400) und/oder HF-Parallelplattenanordnung, 13,56 MHz
Leistungsversorgung	MW-Leistung: max. 9 kW, HF-Leistung: max. 0,6 kW
Basisdruck	< 1 x 10^-6 mbar
Systemabmessungen (L x B x H)	1,30 m x 1,90 m x 1,50 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)
Konfiguration	Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse
Softwareschnittstellen	SECS II / GEM, OPC