Substratgröße (bis zu) | 300 mm x 200 mm |
Substrathalter | Wassergekühlt, HF-Bias |
Substrattemperatur | Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C oder Aufheizung bis zu 850 °C |
Plasmaquellen | 2 lineare Mikrowellenquellen (PL400) und/oder |
Leistungsversorgung | MW-Leistung: max. 9 kW, HF-Leistung: max. 0,6 kW |
Basisdruck | < 1 x 10-6 mbar |
Systemabmessungen (L x B x H) | 1,30 m x 1,90 m x 1,50 m (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
Großflächiges Ätzen und Beschichten über 300 mm x 200 mm
Die scia Cube 300 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.
- PECVD-Prozess
- Abscheidung von dielektrischen Schichten, z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO2, Si3N4, …)
- Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
- Wachstum von nano-kristallinen Diamanten und Kohlenstoff-Nanoröhren
- RIE-Prozess
- Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
- Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
- Veraschung von Fotolacken
Application Note
- Abscheidung von DLC für Glas-Pressformen
- Mikrowellenquellen erzeugen ein Plasma aus reaktiven Gasen
- Verbesserter Ionenbeschuss mit HF-Bias
Technologien
Plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung / Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Die Plasma-unterstützte CVD ist ein reaktiver Prozess, bei dem Materialien aus dem Gaszustand als dünne feste Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden.
Reaktives Ionenätzen / Reactive Ion Etching (RIE)
Reaktivgase und Ionenbeschuss werden zum chemischen und physikalischen Ätzten der Substratoberfläche genutzt.
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Product Flyer scia Cube 300
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scia Batch 350
für 3D-Beschichtungen in Chargen
