Substratgröße (bis zu) | Ø 200 mm | |
Substrathalter | Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation bis zu 20 U/min, optional HF-Bias, elektrostatische Klemmung und Waferheizung (bis zu 750 °C) | |
Sputter-Quellen | Magnetron mit rotierendem magnetischem Feld oder | |
Sputter-Modi | DC im uni- oder bipolaren Pulsmodus (bis zu 2 x 10 kW) und/oder HF (bis zu 6 kW, 13.56 MHz) | |
Basisdruck | < 1 x 10-6 mbar | |
Systemabmessungen | 2,70 m x 1,10 m x 1,60 m, als Einzelkammer mit Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen) | |
Konfiguration | Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem mit bis zu 5 Prozesskammern und Kassettenhandling | |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC | |
Anspruchsvolle Waferbeschichtungen
Die scia Magna 200 wird zur präzisen Beschichtung von Wafern mit metallischen und/oder dielektrischen Schichten eingesetzt. Durch variable Sputtermodi und –anordnungen ist eine kundenspezifische Konfiguration möglich. Zudem ist das System sowohl für kleinformatige F&E-Anwendungen als auch in Clusterform für die softwaregesteuerte automatische Massenproduktion einsetzbar.
- HF-Bias zur Kontrolle von Konformität und mechanischen Spannungen
- Ausgezeichnete Homogenität durch drehbaren Substrathalter
- Kühlung durch Helium-Rückseitenkontakt und ein elektrostatischer Chuck ermöglichen eine geringe Substrattemperatur
- Hohe Abscheideraten beim reaktiven Sputtern mit uni- und bipolaren Impulsen
- Veränderung von Schichteigenschaften durch Anpassung des energetischen Substratbeschusses
- Co-Sputtern mit konfokaler Magnetron-Anordnung
Reaktives Sputtern von Siliziumdioxid in konfokaler Anordnung mit bipolarem gepulsten DC auf einem Ø 150-mm-Si-Wafer. Homogenitätsabweichung <0,8 % (σ/mean), mechanische Spannung -300 MPa, Abscheiderate 7 nm/min. Brechungsindex von 1,48 zeigt eine stöchiometrische und dichte Siliziumdioxid-Abscheidung.
- Temperaturkompensationsschichten für TC-SAW-Bauteile (SiO2)
- Piezoelektrische Schichten mit exzellenter und definierter kristalliner Orientierung (AlN, AlScN) und Elektrodenmaterialien (Mo)
- Optische hoch- und niedrigbrechende Schichten (SiO2, TiO2 HfO2, Nb2O5, Ta2O5)
- Elektrische Isolationsschichten (Si3N4, SiO2, Al2O3)
- Co-Sputtern von Metallen und Legierungen
Application Note
- Temperaturkompensation von Surface-Acoustic-Wave-Wafern (TC-SAW)
- Magnetronsputtern in verschiedenen Konfigurationen
- Einzelmagnetron mit rotierendem magnetischen Feld, Ø Magnetron > Ø Substrat oder
- Bis zu 4 Magnetrons in konfokaler Anordnung, Ø Magnetron < Ø Substrat (Substratrotation notwendig) oder
- DRM 400 vom Fraunhofer FEP mit zwei konzentrischen Targets, Ø Magnetron > Ø Substrat
Technologien
Magnetronsputtern / Magnetron Sputtering
Auch Kathodenzerstäubung. Plasmaionenbeschuss auf ein Target, welches direkt auf der Kathode platziert wird, um dünne Schichten auf dem Substrat abzuscheiden.
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Product Flyer scia Magna 200
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Produktübersicht
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scia Multi 300
für Multilagenabscheidung auf Wafern bis zu 300 mm
scia Multi 680
zur Multilagenbeschichtung von großen Substraten bis 680 mm
