Viele zukunftsweisende Anwendungen, wie autonomes Fahren und maschinelles Lernen, benötigen so hohe Rechenleistung, dass man an die Grenzen der heutigen Technologie stößt. Um die Weiterentwicklung von Mikroelektronik in Europa und vor allem Deutschland zu stärken, fördert die Europäische Kommission in der Initiative ECSEL Forschungsvorhaben und Pilotlinien, wie das Pilotprojekt PIn3S (Pilot Integration of 3nm Semiconductor Technology).

Im Rahmen des PIn3S-Projektes soll Prozess- und Anlagentechnik zur Herstellung adaptiver Optiken entwickelt werden, welche für die Halbleitertechnologie mit Leitungsbahnabständen von nur drei Nanometern benötigt werden.

Die geplante Inbetriebnahme einer Pilotproduktionslinie für 3-Nanometer-Halbleitertechnologie wird bedeutende Auswirkungen auf verschiedene Branchen haben, darunter die Bereiche Kommunikation, Sicherheit, Mobilität, Energie und Gesundheitsversorgung.

Im Fokus der Forschung stehen hierbei piezoelektrische Dünnschichten wie AlN und ScAlN – aber auch andere Materialien und Materialkombinationen könnten von Bedeutung sein. Ziel des Projektes ist die Beschichtung eines Funktionsmodells, das die Zuverlässigkeit des entwickelten Konzeptes bestätigt und den Weg zu kleineren 3nm-Halbleiterstrukturen bereitet.

Wir sind stolz, unsere Expertise und unsere Erfahrung in Ionenstrahl- und Plasmatechnologie in dieses Projekt zur Herstellung von 3 Nanometer-Transistoren einbringen zu können.