North Carolina State University bestellt Anlage zum Ionenstrahlätzen bei scia Systems

Die scia Mill 200 ermöglicht die hochpräzise Strukturierung von Dünnschichten mit verbesserter Selektivität

Chemnitz, 17. September 2024 - scia Systems GmbH, der Technologieführer für hochgenaue, komplexe Ionenstrahl- und Plasmaprozessausrüstung in der Mikroelektronik-, MEMS- und Präzisionsoptikindustrie, gab heute bekannt, dass die North Carolina State University (NCSU) eine scia Mill 200 erworben hat. Das System wird für die Bearbeitung von Wide-Bandgap (WBG)-Materialien, also Materialien zur Nutzung in Halbleitern mit großem Bandabstand, wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid eingesetzt. Ziel ist es, leistungselektronische Geräte zu ermöglichen, die bei wesentlich höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen und mit höherer Effizienz arbeiten. Die scia Mill 200 wird in dem neu eröffneten regionalen Hub „Commercial Leap Ahead for Wide Bandgap Semiconductors“ (CLAWS) installiert.

„Wir freuen uns, dass die NCSU Ionenstrahltechnologie von scia Systems in ihrem neu errichteten regionalen Innovationszentrum einsetzt. Aufgrund ihrer vollständigen Kompatibilität mit reaktiven Gasen ist die scia Mill 200 die richtige Wahl, um reaktive Prozesse mit hoher Selektivität und hohem Durchsatz für Halbleitermaterialien zu ermöglichen“, sagte Dr. Michael Zeuner, CEO von scia Systems.

Präzise Bearbeitung komplexer Oberflächenstrukturen mit der scia Mill 200

Das Ionenstrahlätzen (Ion Beam Etching), auch bekannt als Ion Beam Milling (IBM), ist ein hochpräzises Verfahren zur Bearbeitung von Oberflächen. Dabei wird ein breiter Strahl positiv geladener Ionen (in der Regel Argon) auf ein Substrat gerichtet. Die Ionen übertragen ihre kinetische Energie auf die Atome der Oberfläche, wodurch diese herausgeschleudert werden und Material abgetragen wird.

Sonderformen des Ionenstrahlätzens sind das reaktive Ionenstrahlätzen und das chemisch unterstützte Ionenstrahlätzen, bei denen zusätzlich zum Inertgas reaktive Gase eingesetzt werden, um z. B. die Selektivität zu steigern, die Winkel beim Ätzen von Gräben zu beeinflussen oder um die Ätzraten zu erhöhen. Die scia Mill 200 gewährleistet ein hochpräzises Ätzen komplexer Multilayer-Materialien mit hervorragender Homogenität für Wafergrößen bis zu 200 mm. Typische Anwendungen sind 2D- und 3D-Strukturierung von Magnetspeichern (MRAM), Sensoren, MEMS und Verbindungshalbleitern.

• Weitere Informationen über die Anlage und die Anwendungsgebiete vom Ionenstrahlätzen finden Sie hier: scia Mill 200.
   
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