scia Cube 300/750 - Großflächiges Beschichten und Ätzen in einem System

durch reaktives Ionenätzen und plasma­unterstütze chemische Gas­phasen­abscheidung

scia Cube 300
scia Cube 300
scia Cube 750
scia Cube 750

Die scia Cube 300/750 wurden für großflächige Plasma­prozesse mit hoher Dichte, auf Substraten von bis zu 300 mm x 200 mm (scia Coat 300) und bis zu 750 mm x 750 mm (scia Cube 750) entwickelt. Typische Anwendungen sind die Abscheidung von amorphen Kohlen­stoff (engl. Diamond Like Carbon / DLC) für opische Filter und die Abscheidung dielektrischer Schichten für Anti-Reflex-Be­schichtungen, sowie Ätz­prozesse mit Sauer­stoff- oder Halogen­chemie zur Strukturierung von Halb­leitern und Metallen.

Die scia Cube 300/750 kombinieren Plasma­anregung durch eine Reihe von Mikrowellen­quellen mit einem unabhängigen HF-Bias für den Substrat­träger. Verschiedene Substrat­größen werden mit einem automatischen Vakuum­belade­system transferiert.

Technische Daten

scia Cube 300scia Cube 750

Substrat­größe

Bis zu 300 mm x 200 mm

Bis zu 750 mm x 750 mm

Substrat­halter

Wasser gekühlt, HF‑Bias

Substrat­temperatur

Alternative Kryo­kühlung bis -10°C; Aufheizung bis maximal 700°C

Alternative Kryo­kühlung bis -10°C; Aufheizung bis maximal 850°C

Plasma­quelle

Lineare Mikrowellen ECR-Quelle PL400 und/oder HF-Parallel­platten­anordnung

Lineare Mikrowellen ECR-Quelle PL1300 und/oder
HF-Parallel­platten­anordnung

Energie­versorgung

MW-Power: max. 9000 W; HF-Power: max. 600 W

MW-Power: max. 48 kW; HF-Power: max. 3 kW

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

System­abmessungen (L x B x H)

1,90 m x 1,30 m x 2,20 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)

3,70 m x 3,40 m x 2,20 m (ohne Schaltschrank, Pumpen und Beladesystem)

Anlagen­konfiguration 1 Prozesskammer, 1 Schleuse1 Prozesskammer, 1 Beladesystem, 1 Schleuse

Software­schnittstellen

SECS II / GEM

Produktinformation scia Cube 300

Produktinformation scia Cube 750

Eigenschaften

  • Großflächige Plasmaprozessierung mit hoher Dichte
  • Unabhängige Plasmaanregung und HF-Bias
  • Substratbearbeitung in verschiedenen Ausrichtungen (face-up / face-down)
  • In-situ Kammerreinigung mit geringen Rückständen

Anwendungen

PECVD - Prozess

  • Wachstum von nano-kristallinen Diamanten und Kohlenstoff-Nanoröhren
  • Dielektrische Schichten (SiO2, Si3N4, a:Si, DLC) für optische Filter und Anti-Reflex-Beschichtungen
  • ZnO als transparent leitfähiges Oxid für die Optoelektronik

RIE - Prozess

  • Strukturierung von Halbleitern und Metallen
    (z.B. InP, Ni, Cr, Pt, ITO)
  • Strukturierung von Quarz / Quarzglas
    (CF4 / O2)
  • Veraschung von Fotolacken (O2)

Prinzip PECVD und RIE

Prinzip von PECVD und RIE mit scia Cube 300/750

Weitere PECVD/RIE Systems

scia Batch 350
zur PECVD Beschichtung von 3D-Substraten