Großflächiges Ätzen und Beschichten über 300 mm x 200 mm

Die scia Cube 300 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.

Eigenschaften und Vorteile

  • Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
  • Unabhängiges HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
  • Substratkühlung (-10 °C) oder -heizung (850 °C)
  • In-situ-Kammerreinigungsprozess

Anwendungen

  • PECVD-Prozess
    • Abscheidung von dielektrischen Schichten (z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO2, Si3N4, …))
    • Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
    • Wachstum von nano-kristallinen Diamanten und Kohlenstoff-Nanoröhren
  • RIE-Prozess
    • Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
    • Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
    • Veraschung von Fotolacken

Prinzip

  • Mikrowellenquellen erzeugen ein Plasma aus reaktiven Gasen
  • Verbesserter Ionenbeschuss mit HF-Bias
     

Technologien

Plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung / Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Die Plasma-unterstützte CVD ist ein reaktiver Prozess, bei dem Materialien aus dem Gaszustand als dünne feste Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden.

Reaktives Ionenätzen / Reactive Ion Etching (RIE)
Reaktivgase und Ionenbeschuss werden zum chemischen und physikalischen Ätzten der Substratoberfläche genutzt.

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)

300 mm x 200 mm

Substrathalter

Wassergekühlt, HF-Bias

Substrattemperatur

Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C oder Aufheizung bis zu 850 °C

Plasmaquellen

2 lineare Mikrowellenquellen (PL400) und/oder
HF-Parallelplattenanordnung, 13,56 MHz

Typische Abscheideraten

Diamant: 30 … 70 nm/h, DLC: 7,5 nm/min

Leistungsversorgung

MW-Leistung: max. 9 kW, HF-Leistung: max. 0,6 kW

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

1,30 m x 1,90 m x 1,50 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

Weitere PECVD/RIE Systeme

scia Batch 350

für 3D-Beschichtungen in Chargen

scia Cube 750

zum großflächigen Ätzen und Beschichten
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