Multilagenbeschichtung mit hoher Qualität

Die scia Coat 200 hat eine ausgezeichnete Homogenität für Beschichtungen auf Substraten mit bis zu 200 mm Durchmesser. Im Gegensatz zu anderen Abscheidungsprozessen ermöglicht das Ionenstrahlsputtern (Ion Beam Sputtering) glatte und fehlerfreie Schichten. Dabei sorgt das optische in-situ-Monitoring für eine hervorragende Prozessstabilität. Darüber hinaus können mit dem System sowohl Substrate in Wafergrößen als auch beliebig geformte Substrate bearbeitet werden.

Eigenschaften und Vorteile

  • Hervorragende Homogenität durch Substratrotation und -kippung
  • Bis zu 5 wassergekühlte Targetmaterialien auf einer drehbaren Trommel für einen in-situ Wechsel
  • Rezeptgesteuerte Multilagenabscheidung mit Schwingquarz, optischem Schichtdickenmonitor (OTM) und Testglaswechsler
  • Direktes Waferhandling oder Anpassung an verschiedene Substratgrößen mittels Carrier
  • Ausgerüstet mit einer 350 mm sekundären Ionenstrahlquelle können auch Ionenstrahlätzprozesse durgeführt werden
Einzelkammer mit Kassettenhandling
Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse

Anwendungen

  • Optische Beschichtungen für hochreflektierende und Antireflexschichten,
    Bandpass- und Notch-Filter
  • Multilagenschichten für magnetische Sensoren (GMR, TMR, Spintronics)
  • Beschichtungen mit hoher Laserzerstörschwelle
  • Abscheidung von dielektrischen und metallischen Schichten
  • In-situ Vorbearbeitung von Substraten (ätzen, reinigen, glätten)

Prinzip

  • Primäre Quelle sputtert Material von einem Target auf das vertikal oder kopfüber ausgerichtete Substrat
  • Nutzung der sekundären Quelle für die Substratvorreinigung und/oder Unterstützung während der Abscheidung
     

Technologien

Ionenstrahlsputtern / Ion Beam Sputtering (IBS)
Durch Ionenbeschuss wird Material von einem Target gesputtert und auf dem Substrat abgeschieden.

Duales Ionenstrahlsputtern / Dual Ion Beam Sputtering (DIBS)
Eine zusätzliche Ionenstrahlquelle wird genutzt um die wachsenden Schichten zu beeinflussen.

Ionenstrahlätzen / Ion Beam Etching (IBE)
Ein gebündelter Strahl aus Inertgas-Ionen wird auf ein Substrat gerichtet. Durch den Ionenbeschuss wird das Substrat strukturiert oder Material abgetragen.

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)

Ø 200 mm

Substrathalter

Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 5 bis 20 U/min, kippbar in-situ von 0° bis 160° in 0.1°-Schritten

Ionenstrahlquellen

Sputterquelle: 120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e)
Assistenzquelle: 120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e) oder
350 mm zirkulare HF-Quelle (RF350-e) oder
218 mm zirkulare Mikrowellen-ECR-Quelle (MW218-e)

Neutralisator

Plasma-Brücken-Neutralisator; Filament-getrieben N-DC oder HF-getrieben N-RF

Targethalter

Targettrommel mit neigbaren und wassergekühlten Targets, bis zu 5 (jedes max. Ø 220 mm) oder bis zu 4 (jedes max. Ø 300 mm)

Typische Abscheideraten

Ag: 35 nm/min, Al: 10 nm/min, Si: 15 nm/min, Ti: 8 nm/min, Al2O3: 15 nm/min, SiO2: 20 nm/min, Ta2O5: 15 nm/min, TiO2: 6 nm/min

Homogenitätsabweichung

≤ 0,5 % (σ/mean)

Basisdruck

< 5 x 10-7 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

3,10 m x 1,70 m x 2,40 m, als Einzelkammer mit Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem mit Kassettenhandling

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

 

Weitere Systeme zum Ionenstrahlsputtern

scia Coat 500

zur großflächigen Multilagenabscheidung
auf bis zu 500 mm x 300 mm