Präzise Oberflächenkorrektur durch Ionenstrahltrimmen

Die scia Trim 300 ist ein Großseriensystem für das Ionenstrahltrimmen von 300 mm-Wafern ohne Materialbeschränkung. Die exakte lokale Oberflächenkorrektur des Substrats erfolgt durch einen fokussierten breiten Ionenstrahl mit ausreichend kleinem Brennpunkt. Durch die Steuerung des lokalen Materialabtrags können Inhomogenitäten bis hin zu einer beeindruckend gleichmäßigen Schicht geätzt werden, was die Ausbeute an verwendbaren Bauteilen deutlich erhöht.

Eigenschaften und Vorteile

  • Signifikante Steigerung der Ausbeute
  • Schichtdickenhomogenität einstellbar bis auf Atomniveau von 0,1 nm
  • Kein Randausschluss mit elektrostatischem Chuck
  • Sub-Nanometer-Abtrag mit zero-base-etch-Funktion
  • Bearbeitung von Film- und Wafermaterialien ohne Einschränkungen
  • Durchsatz- und wartungsoptimiertes Design für niedrige Produktionskosten
  • Bearbeitung von Wafern mit Fotolack aufgrund der guten Substratkühlung möglich

Anwendungen

Ergebnisse IBT

  • Frequeztrimmen von Volumenwellen- (engl. Bulk Acoustic Wave, BAW) und Oberflächenwellenfiltern (engl. Surface Acoustic Wave, SAW)
  • Schichtdickentrimmen von Verbindungshalbleitern wie Silizium auf Isolator (SOI)
  • Korrektur von geometrischen Dimensionen in der Fertigung von MEMS-Komponenten

Application Notes

Prinzip

  • Fokussierter Ionenstrahl scannt über die Waferoberfläche, vertikaler Aufbau für möglichst geringe Kontamination
  • Steuerung der Verweilzeit zur Kontrolle des lokalen Materialabtrags
     

Technologien

Ionenstrahltrimmen / Ion Beam Trimming (IBT)
Ein fokussierter Ionenstrahl scannt über den Wafer, wobei der lokale Materialabtrag mit Anpassung der Verweilzeit definiert wird.  

Ionenstrahlpolieren / Ion Beam Figuring (IBF)
Bei der Polierfehlerkorrektur werden durch die Verweilzeitsteuerung des fokussierte Ionenstrahls Oberflächenformfehler korrigiert.

Detailinformationen

Technische Daten
Prozessergebnisse

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