Substratgröße (bis zu) | Ø 200 mm, alle Standard-Wafergrößen möglich |
Substrathalter | Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, elektrostatische Klemmung ohne Randausschluss |
Achsenleistung | Max. Geschwindigkeit 0,5 m/s, max. Beschleunigung 15 m/s² |
Ionenstrahlquelle | 37 mm zirkulare HF-Quelle (RF37-i) mit 8 ... 15 mm (FWHM) oder |
Neutralisator | Glühfaden-Neutralisator (N‑Fil) oder HF-Plasma-Brücken-Neutralisator (N-RF) |
Throughput | 15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer) |
Basisdruck | < 1 x 10-6 mbar |
Systemabmessungen | 2,80 m x 1,40 m x 2,20 m, für Einzelkammer mit Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Cluster-System mit 2 Prozesskammern und Kassettenhandling |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
Präzise Oberflächenkorrektur
Die scia Trim 200 wird für die präzise Oberflächenkorrektur von Wafern genutzt und unterliegt dabei keinen Einschränkungen bei den Film- und Wafermaterialien. Bei diesem System, welches für die Massenproduktion entwickelt wurde, gehören das durchsatz- und wartungsoptimierte Layout genauso zum Standard wie der Halbleiter-Kassettenhandlingsroboter, der alle gängigen Wafergrößen aufnehmen kann. Darüber hinaus ist eine Konfiguration als Cluster mit zwei Prozesskammern und zwei Kassettenschleusen möglich.
- Signifikante Steigerung der Ausbeute
- Schichtdickenhomogenität einstellbar bis auf Atomniveau von 0,1 nm
- Kein Randausschluss mit elektrostatischem Chuck
- Sub-Nanometer-Abtrag mit zero-base-etch-Funktion
- Bearbeitung von Film- und Wafermaterialien ohne Einschränkungen
- Durchsatz- und wartungsoptimiertes Design für niedrige Produktionskosten
- Bearbeitung von Wafern mit Fotolack aufgrund der guten Substratkühlung möglich
- Frequeztrimmen von Volumenwellen- (engl. Bulk Acoustic Wave, BAW) und Oberflächenwellenfiltern (engl. Surface Acoustic Wave, SAW)
- Schichtdickentrimmen von Verbindungshalbleitern wie Silizium auf Isolator (SOI), Quarz, Lithiumtantalat (LT) oder Lithiumniobat (LN)
- Korrekturen von Fehlern oder Stufen in Schichtdicken bei der Herstellung von Festplatten-Schreib/-Leseköpfen
- Korrektur von geometrischen Dimensionen in der Fertigung von MEMS-Komponenten
- Ionenstrahlpolieren von Röntgenspiegeln
Application Notes
- Volumenwellen-Filter (BAW) als Hochfrequenzfilter in der Mobilkommunikation
- Oberflächenwellen-Filter (SAW) für Mobilkommunikations-Frequenzen
- Schichtdickentrimmen von POI Wafern für HF-Filter (SAW)
- Schichtdickenkorrektur von Schreib-/Leseköpfen für Festplatten(TFH)
- Oberflächenfehlerkorrektur von Röntgenspiegeln
- Fokussierter Ionenstrahl scannt über die Waferoberfläche, vertikaler Aufbau für möglichst geringe Kontamination
- Steuerung der Verweilzeit zur Kontrolle des lokalen Materialabtrags
Technologien
Ionenstrahltrimmen / Ion Beam Trimming (IBT)
Ein fokussierter Ionenstrahl scannt über den Wafer, wobei der lokale Materialabtrag mit Anpassung der Verweilzeit definiert wird.
Reaktives Ionenstrahltrimmen / Reactive Ion Beam Trimming (RIBT)
Durch Einleitung von Reaktivgasen in die Ionenstrahlquelle wird die Oberfläche reaktiv strukturiert.
Ionenstrahlpolieren / Ion Beam Figuring (IBF)
Bei der Polierfehlerkorrektur werden durch die Verweilzeitsteuerung des fokussierte Ionenstrahls Oberflächenformfehler korrigiert.
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Product Flyer scia Trim 200
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Produktübersicht
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scia Trim 300
zur großflächigen Oberflächenkorrektur von Wafern bis zu 300 mm
scia Mill 200
zum vollflächigen Ätzen von Wafern bis zu 200 mm
