Präzise Oberflächenkorrektur

Die scia Trim 200 wird für die präzise Oberflächenkorrektur von Wafern genutzt und unterliegt dabei keinen Einschränkungen bei den Film- und Wafermaterialien. Bei diesem System, welches für die Massenproduktion entwickelt wurde, gehören das durchsatz- und wartungsoptimierte Layout genauso zum Standard wie der Halbleiter-Kassettenhandlingsroboter, der alle gängigen Wafergrößen aufnehmen kann. Darüber hinaus ist eine Konfiguration als Cluster mit zwei Prozesskammern und zwei Kassettenschleusen möglich.

Eigenschaften und Vorteile

  • Signifikante Steigerung der Ausbeute
  • Schichtdickenhomogenität einstellbar bis auf Atomniveau von 0,1 nm
  • Kein Randausschluss mit elektrostatischem Chuck
  • Sub-Nanometer-Abtrag mit zero-base-etch-Funktion
  • Bearbeitung von Film- und Wafermaterialien ohne Einschränkungen
  • Durchsatz- und wartungsoptimiertes Design für niedrige Produktionskosten
  • Bearbeitung von Wafern mit Fotolack aufgrund der guten Substratkühlung möglich
Einzelkammer mit Kassettenhandling
Einzelkammer mit Kassettenhandling und 2 Kassettenschleusen
Clustersystem mit 2 Prozesskammern und Kassettenhandling
Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse

Anwendungen

Ergebnisse IBT

Prinzip

  • Fokussierter Ionenstrahl scannt über die Waferoberfläche, vertikaler Aufbau für möglichst geringe Kontamination
  • Steuerung der Verweilzeit zur Kontrolle des lokalen Materialabtrags
     

Technologien

Ionenstrahltrimmen / Ion Beam Trimming (IBT)
Ein fokussierter Ionenstrahl scannt über den Wafer, wobei der lokale Materialabtrag mit Anpassung der Verweilzeit definiert wird.  

Ionenstrahlpolieren / Ion Beam Figuring (IBF)
Bei der Polierfehlerkorrektur werden durch die Verweilzeitsteuerung des fokussierte Ionenstrahls Oberflächenformfehler korrigiert.

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)

Ø 200 mm, alle Standard-Wafergrößen möglich

Substrathalter

Heliumrückseitenkühlung, elektrostatische Klemmung ohne Randausschluss

Achsenleistung

Max. Geschwindigkeit 0,5 m/s, max. Beschleunigung 15 m/s²

Ionenstrahlquelle

37 mm zirkulare HF-Quelle (RF37-i) mit 7 ... 15 mm (FWHM) oder
80 mm zirkulare HF-Quelle (RF80-i) mit 12 ... 20 mm (FWHM)

Neutralisator

Glühfaden-Neutralisator (N‑Fil) oder HF-Plasma-Brücken-Neutralisator (N-RF)

Typische Abtragraten

SiO2: 6 x 10-3 mm3/s (RF37-i), 11 x 10-3 mm3/s (RF80-i)

Schichtabweichung nach dem Trimmen

< 0,5 nm RMS (abhängig von Inputqualität)

Throughput

15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer)

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

2,80 m x 1,40 m x 2,20 m, für Einzelkammer mit Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Cluster-System mit 2 Prozesskammern und Kassettenhandling

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

 

Weitere Systeme zum Ionenstrahlätzen

scia Mill 150

zum vollflächigen Ätzen von
Substraten bis zu 150 mm

scia Mill 200

zum vollflächigen Ätzen von
Wafern bis zu 200 mm

scia Finish 1500

zur Polierfehlerkorrektur von
Substraten bis zu 1500 mm