Vollflächiges Ätzen auf 200 mm Wafern
Die scia Mill 200 wird für die Strukturierung von komplexen Multilagen auf verschiedensten Materialien eingesetzt. Für eine exakte Prozesskontrolle können verschiedene Systeme zur Endpunktkontrolle integriert werden. Durch die Kompatibilität mit Reaktivgasen ermöglicht das System Ätzprozesse (Ion Beam Milling / Ion Beam Etching) mit erhöhter Selektivität und Rate. Dank des flexiblen Designs der scia Mill 200 können Systeme mit Einzelsubstratschleuse oder massenproduktionstaugliche Clustersysteme mit bis zu drei Prozesskammern und zwei Kassettenschleusen realisiert werden.
- Einstellbarer Einfallswinkel beim Ätzen durch kippbaren und drehbaren Substrathalter
- Ausgezeichnete Homogenität ohne Shaper
- Erhöhte Selektivität und Rate durch reaktive Gase
- Prozesskontrolle mit exakter SIMS-basierter oder optischer Endpunktdetektion
- Bearbeitung von Wafern mit Fotolack aufgrund der guten Substratkühlung möglich
- Voll automatisiertes Kassettenhandling in verschiedenen Clusterlayouts inklusive SECS/GEM-Kommunikation
- Strukturierung von Magnetspeichern (MRAM) und Sensoren (IR, GMR, TMR)
- Ätzen von Metallen in der Produktion von MEMS (Au, Ru, Ta, …)
- Ätzen von Multilagen verschiedener Metalle und dielektrischer Materialien
- RIBE und CAIBE von Verbindungshalbleitern (GaAs, GaN, InP, …)
- Produktion von 3D-optoelektronischen Mikrostrukturen
- Ionenstrahlglätten zur Reduzierung von Mikrorauheit
- Musterübertragung für optische Gitter
- Zirkulare Ionenstrahlquelle ätzt mit inerten oder reaktiven Gasen über die volle Substratfläche unter einem definierten Winkel
Technologien
Ionenstrahlätzen (IBE/IBM)
Ein gebündelter Strahl aus Inertgas-Ionen wird auf ein Substrat gerichtet. Durch den Ionenbeschuss wird das Substrat strukturiert oder Material abgetragen.
Reaktives Ionenstrahlätzen (RIBE)
Reaktives Ätzen des Substrats durch die Einleitung von Reaktivgasen in die Ionenstrahlquelle.
Chemisch-unterstütztes Ionenstrahlätzen (CAIBE)
Reaktivgase werden unabhängig vom Ionenstrahl nahe des Substrats eingebracht.
Technische Daten
Substratgröße (bis zu) | Ø 200 mm |
Substrathalter | Wassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 5 bis 20 U/min, kippbar in-situ von 0° bis 175° in 0,1°-Schritten |
Ionenstrahlquelle | 350 mm zirkulare HF-Quelle (RF350-e) |
Neutralisator | HF-Plasma-Brücken-Neutralisator (N‑RF) |
Typische Abtragraten | Cu: 44 nm/min, Pt: 35 nm/min, W:17 nm/min, SiO2:20 nm/min |
Homogenitätsabweichung | ≤ 1 % (σ/mean) |
Durchsatz | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 auf 200 mm Wafer) |
Basisdruck | < 5 x 10-7 mbar |
Systemabmessungen (L x B x H) | 3,20 m x 2,50 m x 2,50 m, für 3 Kammern und Kassettenhandling (ohne Schaltschrank und Pumpen) |
Konfiguration | Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem mit bis zu 3 Prozesskammern und Kassettenhandling, optionale OES- oder SIMS-basierte Endpunktkontrolle |
Softwareschnittstellen | SECS II / GEM, OPC |
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