scia Trim 200 - Lokale Schichtdickenkorrektur

durch Ionenstrahltrimmen

scia Trim 200
scia Trim 200
scia Trim 200 in Cluster Layout
scia Trim 200 in Cluster Layout

Die scia Trim 200 wurde entwickelt, um mittels Ionen­strahl­­trimmen (engl. Ion Beam Trimming / IBT) ultrapräzise Korrekturen von Schicht­dicken bei der Wafer­­bearbeitung vorzunehmen. Ein typischer Anwendungs­­bereich ist beispiels­weise die Herstellung von akustisch-elektrischen Bauteilen und Filtern, wie Volumen­­wellen-Filtern (engl. Bulk Acoustic Wave / BAW) und Oberflächen­­wellen-Filtern (engl. Surface Acoustic Wave / SAW). Aber auch für das lokale Pol­trimmen bei Festplatten­­schreib/-leseköpfen  (engl. Thin Film Head / TFH) und Korrekturen von präzisen Dünnschicht­­widerständen wird das System häufig angewendet.

Die scia Trim 200 ist für die Serien­­produktion konzipiert und mit einem Handling­roboter für Standard Wafer­­kassetten ausgestattet. Zudem sind auch Cluster­­systeme mit zwei Prozess­­kammern und zwei Kassetten­­schleusen realisierbar.

Technische Daten

Substrat­durchmesser

100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm

Substrat­halter

Helium­rückseiten­kühlung, mechanische Klemmung

Ionenstrahl­quelle

Ionenstrahl­quelle RF37‑i

Neutralisator

Glühfaden-Neutralisator N‑Fil oder RF Plasma-Brücken-Neutralisator N-RF

Typische Abtragungsrate

SiO2: 6,0 x 10-3 mm³/s

Achsenleistung

Max. Geschwindigkeit 0,5 m/s, max. Beschleunigung 15 m/s²

Schichtabweichung nach Trimmen< 0,5 nm RMS (abhängig von Inputqualität)

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

System­abmessungen (L x B x H)

1,40 m x 2,80 m x 2,20 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Anlagen­konfigurationen

1 Prozesskammer, 1 Schleuse; 2 Prozesskammern, 1 Schleuse; 2 Prozesskammern, 2 Schleusen

Software­schnittstellen

SECS II / GEM

Prinzip

  • Fokussierte Schichtdickenkorrektur mittels Ionenstrahl, der über eine Spotgröße von wenigen Millimetern im Durchmesser verfügt
  • Der Ionenstrahl scannt über die Waferoberfläche, durch die Variation der Verweildauer wird an verschieden Stellen die korrekte Menge an Material abgetragen
  • Die interne Kontrollsoftware errechnet für jeden Wafer ein individuelles Profil von Verweildauer und Scangeschwindigkeit, entsprechend der Inputdaten

Anwendungen

Prinzip Ionenstrahltrimmen

Prinzip des Ionenstrahltrimmens mit scia Trim 200

Weitere Ionenstrahlsysteme

scia Mill 150
zum Ätzen von Substraten
bis zu 150 mm
scia Mill 200
zum Ätzen von Wafern
bis zu 200 mm
scia Coat 200
zur Abscheidung auf Wafern
bis zu 200 mm
scia Coat 500
zur Abscheidung auf optischen Substraten bis zu 500 mm x 300 mm