scia Mill 150 - Präzise Oberflächenstrukturierung

durch Ionenstrahlätzen

scia Mill 150

Die scia Mill 150 wurden zum gleichmäßigen Ionenstrahlätzen (engl. Ion Beam Etching / IBE) von Einzel­substraten bis zu 150 mm entwickelt. Die Beladung mit Trägern oder Wafern erfolgt über ein automatisches Handling­system. Der Substrathalter hat eine Helium­rückseiten­kühlung und kann sowohl gekippt als auch rotiert werden. Typische Anwendungen sind die Strukturierungen von Metallschichten für MEMS und Sensoren.

Das System wird zum Ionenstrahlätzen mit Edelgasen genutzt. Zudem kann die scia Mill 150 zum reaktiven Ionenstrahlätzen (engl. Reactive Ion Beam Etching / RIBE) und zum chemisch unterstützten Ionenstrahlätzen (engl. Chemically Assisted Ion Beam Etching / CAIBE) eingesetzt werden.

Die Systeme sind besonders für die Nutzung in der Forschung & Entwicklung sowie für die Kleinserien­produktion geeignet.

Technische Daten

Substrat­­­durchmesser

Bis zu 150 mm

Substrathalter

Carrier oder direktes Waferhandling, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 5  bis 20 U/min, Kippbar in-situ von 0° bis 160° in 0,1° Schritten

Ionenstrahlquelle

Zirkulare Mikrowellen ECR-Quelle MW218‑e

Neutralisator

Dreifach-Plasma-Brücken Neutralisator N‑3DC

Typische Abtragungsraten

SiO2: 20 nm/min; TiW: 12 nm/min; Cu: 24 nm/min

Homogenitäts­­­abweichung≤ 1,0 %

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

System­­abmessungen (L x B x H)

1.70 m x 1.70 m x 1.70 m (ohne Schaltschrank)

Anlagen­­­konfigurationen

1 Prozesskammer, 1 Schleuse optional

Software­­schnittstellen

SECS II / GEM

Eigenschaften

  • Großflächiges Ionenstrahlätzen
  • Ätzen mit Edelgasen
  • RIBE und CAIBE mit reaktiven Gasen
  • Ätzen in einem definierten Winkel
  • Wassergekühlter Substrathalter mit Heliumrückseitenkühlung

Anwendungen

  • Strukturierung von MEMS, MRAM und Sensoren
    Zum Beispiel:

  • Strukturierung von metallischen und dielektrischen Mehrlagenschichten
  • Ionenstrahlglätten
  • Mikrostrukturierung
  • Reaktives Ätzen von III/V Halbleitern
    (z.B. GaAs, GaN, InP)

Prinzip Ionenstrahlätzen

Prinzip des Ionenstrahlätzens mit scia Mill 150

Weitere Ionenstrahlsysteme

scia Mill 200
zum Ätzen von Wafern
bis zu 200 mm
scia Trim 200
zum lokalen Trimmen von Wafern
bis zu 200 mm
scia Coat 200
zur Abscheidung auf Wafern
bis zu 200 mm
scia Coat 500
zur Abscheidung auf optischen Substraten bis zu 500 mm x 300 mm