Aufdampfen unter flachem Einfallswinkel zur Erzeugung präziser Nanostrukturen

Mit der scia Eva 200 können durch Elektronenstrahl-Verdampfen hoch reine Beschichtungen auf bis zu 200 mm Wafern abgeschieden werden. Das System bietet bis zu 12 Taschen für Targetmaterialien in einem gekühlten Tiegel. Der Elektronenstrahlverdampfer kann mit Einzelsubstratschleuse oder vollautomatischem Kassettenhandling konfiguriert werden. Darüber hinaus hat das System eine sehr geringe Stellfläche und ermöglicht die Integration einer Ionenstrahlquelle zur Vorreinigung.

 

Eigenschaften & Vorteile

  • Präzise schwenk- und drehbarer Substrathalter, definierter Einfallswinkel einstellbar
  • Hohe Abscheidungsraten für die Verdampfung von Hochtemperatur-Materialien und hochschmelzenden Metallen
  • Bis zu 12 Targetmaterialien in einem wassergekühlten drehbaren Schmelztiegel
  • Optionale Ionenstrahlquelle zur Vorreinigung
  • Vollautomatisches Kassettenhandling in verschiedenen Clusterlayouts einschließlich SECS/GEM-Kommunikation

Anwendungen

  • Glanzwinkelabscheidung (engl. glancing angle deposition, GLAD) von nanostrukturierten Dünnschichten zur Herstellung von Fotoelektroden für die effiziente Brennstofferzeugung
  • Infrarot-Strahler zur Erkennung und Spektroskopie für Gasanalysatoren und Smart Applications
  • Metallisierung von Substraten
  • Dielektrische Beschichtungen
  • Optische Beschichtungen

Prinzip

  • Elektronenstrahlverdampfen

    Mit Strom durch einen Wolframfaden wird eine Elektronenemission erzeugt, die durch Hochspannung zu einem Elektronenstrahl vereinigt wird. Ein Magnetfeld lenkt den Elektronenstrahl so ab, dass er in den Tiegel fokussiert wird. Dies führt zum Verdampfen des Targetmaterials und zur Abscheidung auf dem Substrat

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)Ø 200 mm
SubstrathalterWassergekühlt, Heliumrückseitenkühlung, Substratrotation 5 bis 20 U/min, in-situ schwenkbar von 0° bis 180° in 0,1°-Schritten, optional heizbar
Elektronenstrahl-Verdampfer4 bis 12 Taschen in einem gekühlten Tiegel
Ionenstrahlquelle (optional)120 mm zirkulare HF-Quelle (RF120-e) oder
218 mm zirkulare Mikrowellen-ECR-Quelle (MW218-e)
NeutralisatorPlasma-Brücken-Neutralisator (N-RF oder N3-DC)
Typische AbscheideratenNiCr: 16 nm/min, SiO2: 40 nm/min
Homogenitätsabweichung≤ 0.3 % (σ/mean)
Basisdruck< 5 x 10-8 mbar
Systemabmessungen
(L x B x H)
1,80 m x 1,50 m x 2,40 m, als Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse (ohne Schaltschrank und Pumpen)
KonfigurationEinzelkammer mit Einzelsubstratschleuse oder Kassettenhandling, Clustersystem möglich
SoftwareschnittstellenSECS II / GEM, OPC

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Produkt Flyer scia Eva 200

 

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