Großflächiges Ätzen und Beschichten über 750 mm x 750 mm

Die scia Cube 750 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.

Eigenschaften und Vorteile

  • Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
  • Unabhängiger HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
  • Ausrichtung des Substrats kopfüber für minimierte Partikelbelastung
  • Substratkühlung (-10 °C)
  • In-situ-Kammerreinigungsprozess
  • Vollautomatisierung mit Vakuumschleuse und Beladesystem verfügbar

Anwendungen

  • PECVD-Prozess
    • Abscheidung von dielektrischen Schichten (z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO2, Si3N4, …))
    • Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
  • RIE-Prozess
    • Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
    • Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
    • Veraschung von Fotolacken

Prinzip

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)

750 mm x 750 mm

Substrathalter

Wassergekühlt, HF-Bias

Substrattemperatur

Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C

Plasmaquellen

7 lineare Mikrowellenquellen (PL1300) und/oder
HF-Parallelplattenanordnung, 13,56 MHz

Typische Ätzraten

Metalle: > 5 nm/min, SiO2: > 30 nm/min

Leistungsversorgung

MW-Leistung: max. 48 kW, HF-Leistung: max. 3 kW

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

3,70 m x 2,50 m x 2,00 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer mit Einzelsubstratschleuse, optional atmosphärisches Beladesystem mit Substratlagerung

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

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