Großflächiges Ätzen und Beschichten über 300 mm x 200 mm

Die scia Cube 300 wurde für großflächige Plasmaprozesse mit hoher Dichte entwickelt. Das System zeichnet sich durch Abscheidungsprozesse mit hohen Raten und einer breiten Palette von Parametern aus. Zudem können Ätzprozesse mit Sauerstoff- oder Halogenchemie, für hohe Anisotropie und/oder optimierte Selektivität durchgeführt werden.

Eigenschaften und Vorteile

  • Großflächiges Prozessieren durch synchronisierte lineare Mikrowellenquellen
  • Unabhängiges HF-Bias am Substrathalter für energetischen Substratbeschuss
  • Substratkühlung (-10 °C) oder -heizung (850 °C)
  • In-situ-Kammerreinigungsprozess

Anwendungen

  • PECVD-Prozess
    • Abscheidung von dielektrischen Schichten (z. B. Verkapselung, Barrierebeschichtung, elektrische Isolierung (SiO2, Si3N4, …))
    • Optische und kratzfeste Beschichtungen (a-C:H, DLC)
    • Wachstum von nano-kristallinen Diamanten und Kohlenstoff-Nanoröhren
  • RIE-Prozess
    • Reaktives Ätzen und Strukturierung von Metallen (Ni, Cr, Pt, …)
    • Ätzen von Gittern und anderen Strukturen in optischen Materialien (Quarz / Quarzglas)
    • Veraschung von Fotolacken

Prinzip

Technische Daten

Substratgröße (bis zu)

300 mm x 200 mm

Substrathalter

Wassergekühlt, HF-Bias

Substrattemperatur

Optionale Kryoabkühlung auf -10 °C oder Aufheizung bis zu 850 °C

Plasmaquellen

2 lineare Mikrowellenquellen (PL400) und/oder
HF-Parallelplattenanordnung, 13,56 MHz

Typische Abscheideraten

Diamant: 30 … 70 nm/h, DLC: 7,5 nm/min

Leistungsversorgung

MW-Leistung: max. 9 kW, HF-Leistung: max. 0,6 kW

Basisdruck

< 1 x 10-6 mbar

Systemabmessungen (L x B x H)

1,30 m x 1,90 m x 1,50 m (ohne Schaltschrank und Pumpen)

Konfiguration

Einzelkammer, optionale Einzelsubstratschleuse

Softwareschnittstellen

SECS II / GEM, OPC

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