Magnetronsputtern von Siliziumdioxid

Siliziumdioxid ist ein wichtiges Material zur Produktion von Halbleitern und mikroelektromechanische Systeme (MEMS). Es wird dabei hauptsächlich als Isolations- und Passivierungsschicht eingesetzt oder als dielektrische Schicht verwendet.

Ein Anwendungsbeispiel ist die Abscheidung von SiO2 als Temperaturkompensationsschicht für TC-SAW-Filter in der Mobilkommunikation. Die Leistungsfähigkeit dieser Filter hängt entscheidend von der Qualität der abgeschiedenen SiO2-Schicht ab. Daher wird eine kostengünstige Lösung für die Großserienproduktion mit zuverlässigen Prozessergebnissen und hohem Wafer-Durchsatz benötigt.

 

Vorteile des Magnetronsputterns (auch Kathodenzerstäubung) für die Abscheidung von Siliziumdioxid SiO2

  • dichte Schichten mit hoher Homogenität und guter Reinheit
  • ausgezeichnete Beschichtungsgenauigkeit
  • hohe Abscheidungsraten
  • niedrige Substrattemperatur ermöglicht die Bearbeitung von Substratmaterialien, die sehr zerbrechlich und sensitiv gegenüber hohen Temperaturen und schnellen Temperaturänderungen sind
  • Veränderung der Filmeigenschaften durch einstellbaren energetischen Substratbeschuss

 

 

Technologie

 

Erfahren Sie mehr über den Prozess der Kathoden­zerstäubung / Magnetronsputtern und verschiedene mögliche Sputteranordnungen.
 

Anwendung

 

In unserer Application Note zeigen wir Ihnen, wie die Sputter­abscheidung von SiO2 für die Temperatur­kompensation von SAW-Filter-Bauelementen eingesetzt wird.

Produkt

 

Die scia Magna 200 ist ein Magnetron-Sputter­system für die präzise Abscheidung von metallischen und/oder dielektrischen Schichten auf Wafern bis 200 mm.

 

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