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Ionenstrahlätzen zur Strukturierung von Tunnel-Magneto-Widerstandssensoren

Wir zeigen, dass hochwertige Tunnel-Magneto-Widerstands-Sensoren ("Tunnel-Magneto-Resistance", TMR) aus magnetischen CoFeB/MgO/CoFeB-Tunnelübergängen ("magnetic tunnel junctions", MTJs) hergestellt werden können, indem der Schichtstapel mittels Ionenstrahlätzen mit einer scia Mill 200 strukturiert wird. Sie erhalten Hintergrundinformationen über die Funktionsweise der MTJs sowie über die Probenvorbereitung und den Prozess des Ionenstrahlätzens. Die erforderlichen Werkzeugeigenschaften, wie Helium-Rückseitenkühlung und Homogenität der Ätzung, werden analysiert. Abschließend wurden die MTJs durch Messung des elektrischen Widerstands in einem Magnetfeld charakterisiert.

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Reactive Ion Etching of Large-Area Computer Generated Holograms

Die Herstellung von computergenerierten Hologrammen ("Computer Generated Holograms", CGH) auf großen Flächen erfordert Trockenätzverfahren und Systeme, die für große Substratgrößen geeignet sind. In dieser Studie demonstrieren wir die CGH-Strukturierung mit einer Größe von 450 mm x 450 mm unter Verwendung des Trockenätzsystems scia Cube 750. Der Prozess besteht aus drei Schritten: (1) Strukturierung der Hartmaske, (2) Veraschung des Photoresists (PR) und (3) Ätzen in den Quarz. Dabei wurden die Eigenschaften wie Selektivität, Verlust der kritischen Abmessung (CD) und Homogenität der Ätzung untersucht.